离子注入工艺介绍
离子注入是一种掺杂技术,通过在真空中将特定元素的离子高速轰击至半导体材料(通常是硅片)中,从而精确、可控地改变其电学性能。它是现代集成电路制造中不可或缺的关键步骤。一、离子注入的目的与作用简单来说,离子注入的目的就是在指定的区域,精确地掺入特定种类和数量的杂质原子,从而形成所需的N型或P型半导体区。这些区域共同构成了晶...
电镀工艺是实现金属精准应用的核心技术。电镀技术是将待镀工件放入含有镀层金属离子的电解液中,在直流电作用下,使溶液中的金属离子在待镀工件表面还原沉积,形成镀层的工艺过程。电镀技术中的金属是“化学性生长”的,选择性电镀是指在特定区域或表面进行有选择性的金属沉积的过程。与普通电镀不同,它可以通过掩模、光刻或其他特殊工艺手段,精确控制金属沉积的位置和范围,只在需要的地方形成镀层。
一、电镀系统的搭建
电镀,在半导体领域中通常也被称为电化学沉积。其系统的搭建主要由外电路系统、阴极、阳极和电镀液组成。
1、外电路系统
外电路部分包含直流电源和电极连接线路,为电镀过程提供可控的电流和电压。
2、阴极
阴极连接外电源负极,通常作为待镀工件的载体,接收金属沉积。
3、阳极
阳极连接外电源的正极。一般而言,阳极可以分为两类:牺牲阳极与惰性阳极。前者通常由施镀金属构成,电解时氧化溶解以补充电镀液金属离子;后者采用石墨等并不参与任何电化学反应的材料,仅维持电流导通。
4、电镀液
电镀液通常由施镀金属盐溶液组成,有时也加入络合剂(稳定金属离子)、导电盐(增强溶液电导率)或其他功能性添加剂(调控镀层结晶质量)。
二、电镀原理
图2-1是待镀工件在硫酸铜溶液中镀铜的原理图。当电极开启,电子的运动方式如图所示:受负极吸引,电镀液中的Cu2+迁移至阴极表面,获得电子被还原成铜原子,沉积在工件表面。铜块作为牺牲阳极,在直流电作用下,其表面的铜原子失去电子被氧化成Cu2+。新生成的Cu2+不断地进入到电镀液中,弥补阴极表面还原反应所消耗的铜离子,从而达到电镀液中铜离子数量的动态平衡。在电镀过程中,电镀液内的离子运动和外电极共同构成了完整的电流闭合回路。

图2-1工件在硫酸铜溶液中镀铜的原理图
三、如何选择光刻胶掩模和设备?
1、光刻胶掩模
· 电镀过程是将待镀件浸没在含有酸碱性的溶液中,所以作为掩模的光刻胶一定要耐酸或耐碱。
· 由于电镀工艺所需的金属层厚度往往很大,因此需要选取合适的厚胶作为掩蔽层。
· 在厚度满足要求的基础上,光刻胶的垂直度要好,在形成金属沉积窗口时,要尽可能保持垂直侧壁。
· 例如SU-8、RDNI-10-3614负胶、RD2100、SU-8干膜、薄型7133等光刻胶,都可以满足上述要求。
2、设备
电镀设备一般包括镀槽、精密供液系统、高效电源供应单元、智能控制多系统以及先进的镀液循环与净化装置等。我司自主研发的一款电镀机可以很好满足日常电镀需求。

图3-1 电镀机设备外观图
四、电镀实例
1、电镀的优势
自电镀技术发明以来,人们尝试用众多的金属来形成镀覆层,如金、铜、锡、铝、镍、铬等等。铜不仅电阻率低,还具有优秀的抗电子迁移能力,因此成为互连技术应用中最具潜力的金属材料。尤其在深亚微米集成电路中,采用铜可以减少电路中的互连延迟,从而提高电路的运算速度。人们采用选择性淀积(使用掩模)的方式,可以节省刻蚀和剥离等后道工序所花费的时间和成本。相比于PVD方法带来的材料浪费的成本影响(特别是昂贵的厚金属层材料),选择性电镀的方式更为优越。
2、选择性电镀
选择性电镀技术作为一种关键的表面处理工艺,在众多电子元件的制造中发挥着不可或缺的作用,例如金属探针、电感线圈等。
金属探针是电子测试领域的重要工具,其性能直接影响测试的准确性和可靠性。选择性电镀能够为金属探针提供精确的镀层,改善其导电性、耐磨性和抗蚀性。
电感线圈则是电子电路中用于存储和传输能量、实现信号滤波和耦合等功能的关键元件。在其制造过程中,采用选择性电镀的方式可以精确控制线圈的金属镀层厚度和分布,优化电感值、品质因数等电学参数。
图4-1展示了我司自主研发的一些电镀工艺。图4-2展示了常规选择性电镀的工艺流程。
图4-1 选择性电镀工艺展示

图4-2 选择性电镀工艺流程图