机械物理清洗
一、刷洗刷洗是最基础，最常用的物理清洗方式，采用软质特氟龙刷配合去离子水、湿法清洗溶液等喷淋，通过刷子的机械摩擦作用，高效去除晶圆表面微米级别的大颗粒沾污，同时可辅助去除部分零散附着的有机沾污。我司的刷洗设备搭载平头圆刷和滚动轮刷，刷头材质为PVA（聚乙烯醇），该材质孔隙率高、质地柔软，可在与晶圆表面接触时实现均匀的压...
2026.06.23
近日，我司顺利通过新标通检验认证(北京)有限公司GB/T19001-2016/ISO 9001:2015质量管理体系认证，并荣获新标通检验认证(北京)有限公司颁发的证书。这标志着我司已步入规范化、标准化、科学化的现代企业管理轨道。
新标通检验认证(北京)有限公司是一家经中国国家认证认可监督管理委员会批准的专业权威认证机构，以其公认的专业、质量和诚信享誉全球。
本次ISO 9001:2015质量管理体系认证的通过，是对我司现有的管理体系和产品质量的一种肯定，这 与我公司一贯强调向用户提供最满意的服务作风是相辅相成的。我司将会运用这一质量管理体系， 继续加强 各项基础管理，壮大公司实力，提高公司的知名度和美誉度，争做顾客满意产品，以零缺陷为目标，打造半导体行业具有影响力的领头企业!
苏州研材微纳,光刻配套试剂,光刻胶
一、刷洗刷洗是最基础，最常用的物理清洗方式，采用软质特氟龙刷配合去离子水、湿法清洗溶液等喷淋，通过刷子的机械摩擦作用，高效去除晶圆表面微米级别的大颗粒沾污，同时可辅助去除部分零散附着的有机沾污。我司的刷洗设备搭载平头圆刷和滚动轮刷，刷头材质为PVA（聚乙烯醇），该材质孔隙率高、质地柔软，可在与晶圆表面接触时实现均匀的压...
一、前言除了此前介绍过的RCA清洗工艺以外，常见的湿法清洗还包括SPM、DHF、BHF等多种专用化学清洗体系。二、湿法清洗1、SPM清洗SPM溶液由硫酸（H₂SO₄）与双氧水（H₂O₂）按一定比例混合而成。其核心清洗目标是去除晶圆表面的光刻胶及重有机污染物，如聚合残渣、油脂等，SPM是目前去除有机污染能力最强的湿法清洗...
一、前言在半导体器件制造流程中，晶圆表面的洁净度直接决定了器件的良率、可靠性与性能。晶圆从硅锭切割成型后，表面会不可避免地附着颗粒杂质、有机残留、金属污染物及自然氧化层，即使是微米级甚至纳米级的杂质，也可能导致器件功能失效，因此晶圆清洗是半导体制造流程中不可或缺的关键工序。晶圆清洗并非简单的表面清洁，而是基于工艺需求所...
本系列上一篇介绍了光刻胶剥离工艺的基本概念、剥离液体系的选择与作用机理、负胶的基本化学机制、底切形成的物理机制。本篇将继续从工艺参数对底切的调控、截面形貌对剥离工艺的影响、特殊工艺技术探讨光刻胶形貌对湿法剥离工艺的影响。一、工艺参数对底切的调控1、曝光剂量底切的程度可以通过多种工艺参数进行精确调控，其中曝光剂量是最直接...
光刻胶剥离工艺是半导体制造和微纳加工中的关键技术环节，直接影响器件的性能和良率。在金属互连、微机电系统（MEMS）器件、光电器件等制造过程中，光刻胶剥离工艺承担着图案转移和材料去除的双重功能。I-line 光刻胶作为 i 线（365nm）光刻的主流材料，在微纳加工领域应用广泛。其湿法剥离工艺相比干法剥离具有设备成本低、...
离子注入是一种掺杂技术，通过在真空中将特定元素的离子高速轰击至半导体材料（通常是硅片）中，从而精确、可控地改变其电学性能。它是现代集成电路制造中不可或缺的关键步骤。一、离子注入的目的与作用简单来说，离子注入的目的就是在指定的区域，精确地掺入特定种类和数量的杂质原子，从而形成所需的N型或P型半导体区。这些区域共同构成了晶...
