产品介绍：
氧化硅片是指表面有氧化层的硅片，一般是通过热氧化或薄膜沉积的方式在硅片表面生长一层SiO2薄膜。
产品分类：
湿氧氧化片、干氧氧化片、LPCVD氧化片、PECVD单面氧化片等。
规格参数：
直径2-12寸，厚度200-1000μm，硅衬底单抛/双抛，晶向<100><110><111>等、N型/P型/本征，电阻率电阻率0.001及以上，氧化层厚度范围20nm~15μm。
产品应用：
集成电路领域（电容器、场效应管、微电子学元件等）、光电子学及光通讯领域（光纤通信器件、激光器等）、真空技术领域、
生物医药领域（微流控器件、生物MEMS、生物芯片等）。
产品优势：
我司可提供高质量膜层的氧化硅片，氧化层均匀致密，介电强度高，表面光滑无瑕疵，平整度好、翘曲度小。我司常备各种型号氧化硅片库存，可定制加工厚度＞2μm的氧化层，会根据您的工艺应用推荐合适型号，采购方式灵活。
