工艺介绍：
深硅刻蚀（DRIE）：刻蚀硅材料，实现高深宽比结构，工艺气体SF6、C4F8等。
离子束刻蚀（IBE）：金属、介质层纯物理刻蚀，工艺气体Ar。
反应离子刻蚀（RIE）电感耦合等离子刻蚀（ICP）：介质层、Ⅲ-V族材料刻蚀。
磁中性环路放电刻蚀机（NLD）：石英、氧化硅、碳化硅深刻蚀，工艺气体CF4、SF6等。
